惠泽配资闻泰科技SiC Trench MOS 如何重构碳化硅产业格局

在第三代半导体加速渗透的浪潮中，闻泰科技（维权）半导体业务坚持研发创新，推出行业领先的SiC Trench MOS，不仅彰显了技术突破的实力，更成为企业价值增长、推动产业升级的关键锚点。

定义业界标杆

公司SiC Trench MOS行业领先

碳化硅（SiC）作为第三代半导体核心材料，在电力电子器件领域的价值日益凸显。其中，SiC Trench MOS因多重优势，被视为下一代功率器件的重要方向，但受限于制造工艺，长期以来产业化进程缓慢。

闻泰科技半导体业务以创新为驱动，推出SiC沟槽结构MOSFET（Trench MOS），其工艺在成本和性能上已处于行业领先水平。

什么是沟槽结构MOSFET？相较于传统平面结构，沟槽结构通过将栅极埋入基体形成垂直沟道，寄生电容更小，开关速度更快，开关损耗显著降低；同时，通过优化沟道设计，可实现更高沟道迁移率，进一步降低导通电阻，在充电桩、光伏逆变器、电动汽车等场景中，展现出突出的应用价值。

产能前瞻布局

筑牢技术落地的根基

技术突破的同时，公司在产能端开展前瞻布局。公司半导体业务位于德国汉堡晶圆厂的第三代半导体产线将在第四季度完成SiC和GaN中试产线建设；同时，控股股东先行代建的临港晶圆厂正导入新一代IGBT及BCD工艺。这些产线的落地，将为公司新产品的工艺与成本改善提供支撑，同时助力公司在GaN、SiC、IGBT等领域形成技术与产能的联动优势，推动“技术创新—规模效应”的良性循环。尽管新产品在公司业务中占比尚小，但随着研发的有序推进，有望为未来发展注入新动力。

目前，公司半导体业务自有工厂满产运行，临港晶圆厂等第三方代工厂订单充足，三季度订单持续向好，为全年增长打下了坚实基础。

业绩稳健增长

彰显市场高度认可

研发与产能上的持续深耕，正在转化为实实在在的业绩增长。

2025年以来，闻泰半导体业务景气度持续回升：一季度收入同比增长超8%，经营性净利润同比增长超65%；二季度延续增长态势，收入、净利润同比及环比均实现两位数增长，且净利润增速高于收入增速，反映出公司在出货量提升与成本管控上的双重成效。

伴随全球对高效率半导体器件的需求增长，功率半导体有望在新能源汽车、AI数据中心、机器人等领域拓展更大空间。随着市场趋势对半导体的依赖性增强，预计半导体业务未来几年的增长趋势是积极的。

SiC Trench MOS的推出，是闻泰科技在第三代半导体领域的重要突破。闻泰科技正以其为支点，持续深耕SiC、GaN、IGBT等前沿领域，通过构建领先的制造能力，在技术创新与产业落地中不断创造价值，为半导体行业的发展注入持续动力。